#3032019-04-02
BJT(Bipolar junction transistor)의 ∆VBE를 이용하여 양의 온도 계수를 구현하는 방식으로 CMOS의 문턱 이하 영역을 사용하여 적은 전력으로 BJT와 같은 동작을 수행
IPTAT과 ICTAT의 합으로는 보상될 수 없는 공정 변이 값을 비(ratio)를 통해 보상함으로써 온도에 대한 변화가 공정에 강인한 전류원을 얻을 수 있음
온도 변화에도 전류값이 일정하게 유지하기 위해 TCr=TCv가 동일하면 되면, 이를 위한 조건을 해결하는 것이 필요함 → 본 제안 기술은 이를 해결하기 위한 방안을 마련함
기술 개념도
